產品: IGBT Silicon Modules
配置: 3-Phase
集電極-發射極最大電壓VCEO: 1200 V
集電極-發射極飽和電壓: 2.25 V
連續集電極電流在25 C: 50 A
柵射極漏電電流: 100 nA
Pd - 功率消耗 : 280 W
封裝/外殼: Econo 3
最低工作溫度: - 40 C
最高工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
品牌: Infineon Technologies
高度: 17 mm
長度: 107.5 mm
柵極發射機最大電壓: 20 V
安裝風格: Chassis Mount
產品類型: IGBT Modules
系列: Trenchstop IGBT4 - T4
原廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs
技術: Si
公司名稱: TRENCHSTOP EconoPIM
寬度: 45 mm
零件號別名: SP000372915 FP50R12KT4BOSA1
每件重量: 180 g
