产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
99 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
61 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2480 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
227W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
FCP099
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