安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: TO-18
晶體管極性: NPN
配置: Single
集電極-發射極最大電壓VCEO: 40 V
集電極-基極電壓VCBO: 75 V
發射機-基極電壓VEBO: 6 V
集電極-發射極飽和電壓: 1 V
集電極最大直流電流: 800 mA
Pd - 功率消耗 : 500 mW
增益帶寬積 fT: 300 MHz
最低工作溫度: - 65 C
最高工作溫度: + 200 C
封裝: Bulk
品牌: Central Semiconductor
連續集電極電流: 800 mA
直流集電極/增益 hfe 最小值: 100
直流電最大增益hFE: 300
產品類型: BJTs - Bipolar Transistors
原廠包裝數量: 2000
子類別: Transistors
每件重量: 1 g
