QPD1028

晶體管類型: HEMT

技術: GaN SiC

操作頻率: 1.2 GHz to 1.4 GHz

增益: 19.8 dB

Vds - 漏-源擊穿電壓: 65 V

Id - C連續漏極電流: 19 A

輸出功率: 750 W

最低工作溫度: - 40 C

最高工作溫度: + 85 C

Pd - 功率消耗 : 400 W

安裝風格: SMD/SMT

封裝/外殼: NI-780

品牌: Qorvo

濕度敏感: Yes

產品類型: RF JFET Transistors

系列: QPD1028